单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）2.8A（Ta）3.2A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 2.8A，4.5V85 毫欧 @ 10A，10V115 毫欧 @ 2.4A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V330 pF @ 10 V618 pF @ 10 V1590 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
275mW（Ta）480mW（Ta），6.25W（Tc）2W（Tc）7.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOSOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV65XPEAR
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
164,552
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99194
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
78 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.25V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
618 pF @ 10 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
49,475
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-SOIC
SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Vishay Siliconix
15,652
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.33271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
18A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 75 V
-
7.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,504
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Tc）
2.5V，4.5V
115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。