单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）9A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 7A，4.5V85 毫欧 @ 10A，10V6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 13µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V33 nC @ 10 V59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.9 pF @ 25 V1590 pF @ 75 V2760 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）730mW（Ta）7.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPG-SOT23U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
225,911
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.45903
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMP2021UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Diodes Incorporated
54,206
现货
246,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00416
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.5V，4.5V
16 毫欧 @ 7A，4.5V
1V @ 250µA
59 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 15 V
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
8-SOIC
SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Vishay Siliconix
15,552
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.33255
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
18A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 75 V
-
7.1W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。