单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Ta)4A(Ta)4.3A(Ta)5.7A(Ta)5.8A(Ta)6.2A(Ta)6.5A(Ta)6.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 6.2A,10V20 毫欧 @ 6.5A,4.5V25 毫欧 @ 4A,4.5V26.5 毫欧 @ 5.7A,10V28 毫欧 @ 5.8A,10V44 毫欧 @ 4.3A,10V50 毫欧 @ 4A,10V50 毫欧 @ 6A,10V54 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V12.2 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
340 pF @ 15 V600 pF @ 10 V600 pF @ 15 V630 pF @ 15 V642 pF @ 25 V645 pF @ 15 V660 pF @ 10 V820 pF @ 15 V994 pF @ 15 V1200 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.38W(Ta)1.4W(Ta)1.56W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3404A
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
484,363
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52169
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
91,956
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 6A,10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
752,757
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.7A(Ta)
2.5V,10V
26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
1.5V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
746,759
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
44 毫欧 @ 4.3A,10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
203,749
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83116
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
660 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
36,030
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70594
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
50 毫欧 @ 4A,10V
1.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±12V
340 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
125,299
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10557
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.7A(Tc)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±10V
600 pF @ 10 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AOSS32334C
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
6,942
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 6.2A,10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
62,595
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.6A(Ta)
2.5V,10V
54 毫欧 @ 3.6A,10V
1.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±12V
994 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3401
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
6,000 : ¥0.78356
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
50 毫欧 @ 4A,10V
1.3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±12V
645 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。