单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)3A(Ta)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 150A,10V120 毫欧 @ 1.5A,5V5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V223 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 10 V440 pF @ 25 V17000 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)1.3W(Ta)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1SOT-223(TO-261)SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223 (TO-261)
NTF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
18,296
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.00101
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Ta)
5V
120 毫欧 @ 1.5A,5V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
7,725
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥27.49443
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SOT-23-3
MMBF170-7-F
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Diodes Incorporated
231,987
现货
2,241,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
500mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。