单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-QFET®SuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
80 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）12A（Tc）20A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 20A，10V260 毫欧 @ 6A，10V280 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 190µA4.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 5 V24 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 400 V1080 pF @ 25 V3100 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），55W（Tc）3.8W（Ta），136W（Tc）90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
onsemi
6,290
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.72231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
5V，10V
280 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 5 V
±20V
1080 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
onsemi
2,420
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.68243
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
12A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 1.2mA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H818NT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
onsemi
1,380
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
1,500 : ¥9.49737
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
20A（Ta），123A（Tc）
10V
3.7 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 190µA
46 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。