单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）70A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 35A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3V @ 250µA3.4V @ 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24.2 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V1430 pF @ 25 V11400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）3.75W（Ta），375W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-34SOT-23-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
447,916
现货
8,640,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
60,259
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TDSON-8-34
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Infineon Technologies
17,990
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.42896
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
70A（Tc）
7V，10V
4.6 毫欧 @ 35A，10V
3.4V @ 17µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1430 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。