单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Tc）56A（Tc）157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V，15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 100A， 18V41 毫欧 @ 25A，18V650毫欧 @ 1.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 50mA5.7V @ 1.7mA5.7V @ 11.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 12 V63 nC @ 18 V288 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+18V，-15V+20V，-10V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
422 pF @ 1000 V2290 pF @ 800 V9335 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
88W（Tc）300W（Tc）567W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-7-12PG-TO263-7-13TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,771
现货
1 : ¥44.42000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.97768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7.4A（Tc）
12V，15V
650毫欧 @ 1.5A，15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V，-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247-4 Top
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
336
现货
1 : ¥509.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
157A（Tc）
15V，18V
13 毫欧 @ 100A， 18V
2.7V @ 50mA
288 nC @ 15 V
+22V，-10V
9335 pF @ 800 V
-
567W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Infineon Technologies
683
现货
1 : ¥134.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥85.04528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
56A（Tc）
-
41 毫欧 @ 25A，18V
5.7V @ 11.5mA
63 nC @ 18 V
+18V，-15V
2290 pF @ 800 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。