单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）6A（Ta），13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
37 毫欧 @ 7.8A，10V135 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 15 V580 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.1W（Ta）
供应商器件封装
4-Microfoot6-PQFN（2x2）（DFN2020）
封装/外壳
4-XFBGA，CSPBGA6-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRFHS9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Infineon Technologies
23,073
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.74869
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta），13A（Tc）
4.5V，10V
37 毫欧 @ 7.8A，10V
2.4V @ 25µA
13 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
4-xFBGA
SI8821EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
26
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02516
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
135 毫欧 @ 1A，4.5V
1.3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±12V
440 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA，CSPBGA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。