单 FET，MOSFET

结果 : 12
系列
-CoolMOS™ CFD7OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V150 V250 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）， 9A（Tc）16A（Tc）16.5A（Ta），81A（Tc）18.5A（Tc）27.3A28A（Ta），184A（Tc）31A（Ta），323A（Tc）32A（Ta），253A（Tc）36A（Tc）43A（Ta），425A（Tc）59A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.05 毫欧 @ 150A，10V1.57 毫欧 @ 50A，10V1.8 毫欧 @ 150A，10V2.5 毫欧 @ 150A 10V3.6 毫欧 @ 20A，10V5.75 毫欧 @ 20A，10V17 毫欧 @ 11A，10V24 毫欧 @ 40A，10V160 毫欧 @ 6.8A，10V420 毫欧 @ 8.2A， 10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1.04mA2V @ 2.34A2V @ 250µA2.3V @ 10µA2.3V @ 250µA3.8V @ 108µA3.8V @ 159µA3.8V @ 280µA4.5V @ 340µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V31 nC @ 10 V43 nC @ 10 V87 nC @ 10 V127 nC @ 10 V133 nC @ 10 V136 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V870 pF @ 20 V1330 pF @ 400 V1400 pF @ 15 V2100 pF @ 75 V4400 pF @ 30 V6500 pF @ 40 V9200 pF @ 40 V16000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），39.1W（Tc）2.1W（Ta），39W（Tc）3W（Ta），333W（Tc）3W（Ta），83W（Tc）3.8W（Ta），167W（Tc）3.8W（Ta），231W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）11.5W（Tc）95W（Tc）188W（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）PG-HSOF-8PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-7PG-TO252-3PG-TSON-8-3PG-TTFN-9-U02PG-VSON-4-1PG-VSON-6-1
封装/外壳
4-PowerTSFN6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN9-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
40,313
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94808
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
IPT010N08NM5ATMA1
IPT010N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Infineon Technologies
3,498
现货
1 : ¥59.36000
剪切带（CT）
2,000 : ¥31.54856
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
43A（Ta），425A（Tc）
6V，10V
1.05 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
PG-TDSON-8
ISC240P06LMATMA1
MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL
Infineon Technologies
6,157
现货
1 : ¥19.05000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.25103
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
59A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 2.34A
136 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
188W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
2,378
现货
1 : ¥20.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.97489
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27.3A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
3,750
现货
1 : ¥39.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.45769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
36A（Tc）
-
-
-
-
±20V
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
1,094
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.01406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.7A（Ta）， 9A（Tc）
4.5V，10V
420 毫欧 @ 8.2A， 10V
2V @ 1.04mA
43 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 75 V
-
3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,049
现货
1 : ¥23.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.92621
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 6.8A，10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
95W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
3,000
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.90091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16.5A（Ta），81A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±16V
1400 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-6-1
6-PowerVDFN
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
IPTG025N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Infineon Technologies
1,800
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
1,800 : ¥15.94932
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），184A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 150A 10V
3.8V @ 108µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
IPTG018N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Infineon Technologies
1,794
现货
1 : ¥32.68000
剪切带（CT）
1,800 : ¥16.90353
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Ta），253A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 159µA
127 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），231W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
0
现货
查看交期
1 : ¥38.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.35282
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
31A（Ta），323A（Tc）
6V，10V
1.57 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 159µA
133 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 40 V
-
3W（Ta），333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
0
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
15,000 : ¥2.79258
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64A（Tc）
4.5V，10V
5.75 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），39.1W（Tc）
-55°C ~ 155°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-6-1
6-PowerVDFN
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。