单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
GeneSiC SemiconductorRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
FET 类型
-N 通道
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tj）34A（Tc）70A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 50A39 毫欧 @ 27A，18V59 毫欧 @ 17A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 8.89mA5.6V @ 13.3mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 18 V104 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+21V，-4V+22V，-4V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1460 pF @ 500 V1526 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）
93W115W262W（Tc）769W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 225°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247NTO-258TO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-258-3，TO-258AATO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,082
现货
1 : ¥245.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT4045DEHRC11
750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
377
现货
1 : ¥40.88000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
4,859
现货
1 : ¥116.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRHRC15
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
496
现货
1 : ¥119.62000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4045DW7TL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
629
现货
1 : ¥96.79000
剪切带（CT）
1,000 : ¥61.28389
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
31A（Tj）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TRANS SJT 600V 100A TO258
GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A TO258
GeneSiC Semiconductor
0
现货
10 : ¥4,903.50300
散装
-
散装
在售
-
SiC（碳化硅结晶体管）
600 V
100A（Tc）
-
25 毫欧 @ 50A
-
-
-
-
-
769W（Tc）
-55°C ~ 225°C（TJ）
-
-
通孔
TO-258
TO-258-3，TO-258AA
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。