单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Ta）11A（Tc）12A（Tc）20A（Tc）23A（Ta），135A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V11 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 5A，10V44 毫欧 @ 12A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 38µA3V @ 250µA4V @ 23µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V33 nC @ 10 V44 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1125 pF @ 20 V1200 pF @ 25 V2569 pF @ 30 V2700 pF @ 30 V3500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2.1W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8PG-TSDSON-8POWERDI3333-8TO-252（DPAK）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
334,285
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60086
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TSDSON-8-34
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,350
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8 FL
ISC0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Infineon Technologies
5,330
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.43292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），135A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 38µA
56 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
2,842
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
800 : ¥10.60013
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-13
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,077
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.76868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。