单 FET,MOSFET
结果 : 12
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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791 现货 | 1 : ¥100.49000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 21A(Tc) | 15V | 208 毫欧 @ 12A,15V | 2.7V @ 5mA | 51 nC @ 15 V | ±15V | 1272 pF @ 1000 V | - | 175W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
991 现货 | 1 : ¥268.71000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 61A(Tc) | 15V | 58 毫欧 @ 40A,15V | 2.7V @ 8mA | 182 nC @ 15 V | ±15V | 4523 pF @ 1000 V | - | 438W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
779 现货 | 1 : ¥271.50000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 61A(Tc) | 15V | 58 毫欧 @ 40A,15V | 2.7V @ 8mA | 182 nC @ 15 V | ±15V | 4523 pF @ 1000 V | - | 438W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | |||
177 现货 | 1 : ¥328.31000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 2000 V | 48A(Tc) | 15V,18V | 64 毫欧 @ 20A,18V | 5.5V @ 12.1mA | 82 nC @ 18 V | +20V,-7V | - | - | 348W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | PG-TO247-4-U04 | TO-247-4 | |||
219 现货 | 1 : ¥481.01000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 2000 V | 89A(Tc) | 15V,18V | 33 毫欧 @ 40A,18V | 5.5V @ 24mA | 137 nC @ 18 V | +20V,-7V | - | - | 576W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | PG-TO247-4-U04 | TO-247-4 | |||
148 现货 | 1 : ¥488.81000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 225A(Tc) | 15V,18V | 9.9 毫欧 @ 108A,18V | 5.2V @ 47mA | 289 nC @ 18 V | +20V,-5V | 9170 pF @ 800 V | - | 750W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | PG-TO247-4-8 | TO-247-4 | |||
1,407 现货 | 1 : ¥597.59000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 115A(Tc) | 15V | 22.3 毫欧 @ 75A,15V | 3.6V @ 23mA | 207 nC @ 15 V | +15V,-4V | 6085 pF @ 1000 V | - | 556W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
1,053 现货 | 1 : ¥880.09000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 124A(Tc) | 15V | 26 毫欧 @ 75A,15V | 2.7V @ 15mA | 400 nC @ 15 V | ±15V | 10187 pF @ 1000 V | - | 809W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | |||
216 现货 | 1 : ¥939.28000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 2000 V | 123A(Tc) | 15V,18V | 16.5 毫欧 @ 60A,18V | 5.5V @ 48mA | 246 nC @ 18 V | +20V,-7V | - | - | 552W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | PG-TO247-4-U04 | TO-247-4 | |||
445 现货 | 1 : ¥963.09000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 72A(Tc) | 20V | 70 毫欧 @ 50A,20V | 4V @ 18mA | 188 nC @ 20 V | +25V,-10V | 3672 pF @ 1000 V | - | 520W(Tc) | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
15 现货 | 1 : ¥343.17000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 68A(Tc) | 20V | 45 毫欧 @ 30A,20V | 3.25V @ 2.5mA(典型值) | 178 nC @ 20 V | +23V,-10V | 3300 pF @ 1000 V | - | 370W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | ||
25 现货 | 1 : ¥340.71000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 59A(Tc) | 20V | 45 毫欧 @ 30A,20V | 3.25V @ 2.5mA(典型值) | 178 nC @ 20 V | +23V,-10V | 3300 pF @ 1000 V | - | 278W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | D3PAK | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA |
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