单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 22A，10V180 毫欧 @ 10A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 500µA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.9 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 400 V1000 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
83W（Tc）119W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）TO-247-3TO-263
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TP65H150BG4JSG-TR
TP65H150BG4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Transphorm
2,847
现货
1 : ¥32.51000
剪切带（CT）
4,000 : ¥15.83091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
16A（Tc）
6V
180 毫欧 @ 10A，6V
2.8V @ 500µA
4.9 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
153
现货
1 : ¥102.95000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
34A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 22A，10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
89
现货
1 : ¥117.89000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
34A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 22A，10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。