单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.2A（Ta）， 59.2A（Tc）32A（Ta），155A（Tc）36A（Ta），235A（Tc）115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.65 毫欧 @ 32A，10V5.2 毫欧 @ 9.8A，10V9 毫欧 @ 15A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V126 nC @ 10 V154 nC @ 10 V162 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5670 pF @ 20 V6660 pF @ 25 V6855 pF @ 20 V11530 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），156W（Tc）3.4W（Ta），104W（Tc）3.8W（Ta），166W（Tc）4.8W（Ta），56.8W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6.15）8-PQFN（5x6）PowerDI5060-8（UX 类）PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8S
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
NTMFSC1D6N06CL
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
onsemi
317
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.78213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Ta），235A（Tc）
-
-
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6.15）
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMS86550
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
onsemi
479
现货
1 : ¥54.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.45686
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Ta），155A（Tc）
8V，10V
1.65 毫欧 @ 32A，10V
4.5V @ 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
11530 pF @ 30 V
-
2.7W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMP4006SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
2,819
现货
1 : ¥15.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.92119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
115A（Tc）
6V，10V
5.2 毫欧 @ 9.8A，10V
3V @ 250µA
162 nC @ 10 V
±20V
6855 pF @ 20 V
-
3.4W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
SISS4409DN-T1-GE3
SISS4409DN-T1-GE3
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
4,976
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
6,000 : ¥4.37647
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17.2A（Ta）， 59.2A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
5670 pF @ 20 V
-
4.8W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。