单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™U-MOSX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）30A（Tj）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 31A，10V14 毫欧 @ 15A，10V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2.2V @ 10µA3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 10 V39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V888 pF @ 30 V2700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）33W（Tc）89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKPG-TSDSON-8-32SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
45,474
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
1,629
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.69008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
62A（Tc）
6V，10V
6.9 毫欧 @ 31A，10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
89W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TDSON833
IAUZ30N06S5L140ATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32
Infineon Technologies
24,394
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.70457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tj）
-
14 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 10µA
12.2 nC @ 10 V
±16V
888 pF @ 30 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。