单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™PowerTrench®SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V250 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）12.4A（Ta），60A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 13A，10V20 毫欧 @ 64A，10V500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 8µA2.8V @ 50µA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 5 V37 nC @ 10 V55 nC @ 10 V86 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28 pF @ 25 V2700 pF @ 30 V3000 pF @ 50 V7100 pF @ 100 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-SOT23PG-TDSON-8-7PG-TO263-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,119
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
2,739
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Infineon Technologies
2,172
现货
1 : ¥59.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥33.94828
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
64A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,687
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
0V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
2.7V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。