单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Ta），15A（Tc）24A（Ta），76A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V3.1 毫欧 @ 24A，10V67毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 279µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V101 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1335 pF @ 50 V7005 pF @ 40 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），40W（Tc）3.2W（Ta），125W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-PQFN（5x6）PG-TO263-7
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-MLP, Power33
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
onsemi
11,203
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.43829
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.4A（Ta），15A（Tc）
6V，10V
67毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
1335 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
870
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
8-PQFN TOP
FDMS86300DC
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.94772
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
24A（Ta），76A（Tc）
8V，10V
3.1 毫欧 @ 24A，10V
4.5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7005 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。