单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-AlphaMOSTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）280mA（Ta）680mA（Ta）1.6A（Tc）5.5A（Ta），17A（Tc）30A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 30A，10V16 毫欧 @ 14.4A，10V54 毫欧 @ 5A，10V345 毫欧 @ 1.25A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V140 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V210 pF @ 30 V675 pF @ 75 V4710 pF @ 30 V11400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta）370mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）4.1W（Ta），39W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
213,037
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49738
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
352,964
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
195,424
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,052
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
345 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN-EP
AON7254
MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
36,470
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.28970
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
5.5A（Ta），17A（Tc）
4.5V，10V
54 毫欧 @ 5A，10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
4.1W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,963
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,945
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。