单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）320mA（Ta）3.8A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.75V，5V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 20A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V81 nC @ 7.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 25 V563 pF @ 25 V5150 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）1.08W（Ta）104W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
245,180
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
114,270
现货
771,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
7.5V，10V
2.9 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
81 nC @ 7.5 V
±20V
5150 pF @ 40 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。