单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）9.5A（Ta）25A（Tc）25.5A（Ta），92.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.65 毫欧 @ 15A，10V10 毫欧 @ 8A，4.5V23 毫欧 @ 9.5A，4.5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V45 nC @ 8 V56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1080 pF @ 10 V1700 pF @ 10 V2540 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）2.4W（Ta）3.1W（Ta），31W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® ChipFET 单通道SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® CHIPFET™ 单TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
75,430
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Vishay Siliconix
14,340
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.93882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25.5A（Ta），92.5A（Tc）
4.5V，10V
3.65 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 30 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
6-WDFN Exposed Pad
FDMA410NZ
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
onsemi
53,377
现货
12,000
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.16463
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9.5A（Ta）
1.5V，4.5V
23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1080 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
Pkg 5940
SI5442DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
25A（Tc）
1.8V，4.5V
10 毫欧 @ 8A，4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
1700 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® ChipFET 单通道
PowerPAK® CHIPFET™ 单
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。