单 FET，MOSFET

结果 : 16
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
-N 通道
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A（Tc）45A（Tc）46A（Tc）50A（Tc）58A（Tc）70A（Tc）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40.9 毫欧 @ 25.6A，18V42 毫欧 @ 29.5A，18V50 毫欧 @ 25A，18V64 毫欧 @ 20.1A，18V74 毫欧 @ 16.7A，18V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.2V @ 11mA5.7V @ 5mA5.7V @ 6mA5.7V @ 7.5mA5.7V @ 8.8mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 18 V33 nC @ 18 V41 nC @ 18 V48 nC @ 18 V68 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+20V，-2V+20V，-7V+23V，-5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 400 V1118 pF @ 400 V1393 pF @ 400 V1643 pF @ 400 V2160 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
125W（Tc）161W（Tc）176W（Tc）183W（Tc）197W（Tc）273W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO247-3-41PG-TO247-4-3PG-TO247-4-U02PG-TO263-7-12
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
435
现货
1 : ¥61.08000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
64 毫欧 @ 20.1A，18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V，-5V
1118 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R048M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
889
现货
1 : ¥83.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥47.37106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
45A（Tc）
18V
64 毫欧 @ 20.1A，18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V，-5V
1118 pF @ 400 V
-
183W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
243
现货
1 : ¥109.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
58A（Tc）
18V
42 毫欧 @ 29.5A，18V
5.7V @ 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V，-2V
1643 pF @ 400 V
-
197W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IMW65R039M1HXKSA1
IMW65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
138
现货
1 : ¥67.16000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
46A（Tc）
18V
50 毫欧 @ 25A，18V
5.7V @ 7.5mA
41 nC @ 18 V
+20V，-2V
1393 pF @ 400 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
896
现货
1 : ¥73.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥41.66435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
74 毫欧 @ 16.7A，18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+23V，-5V
930 pF @ 400 V
-
161W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
1,935
现货
1 : ¥35.79000
剪切带（CT）
2,000 : ¥17.42043
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,594
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
2,000 : ¥19.95229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,933
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥30.27095
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,994
现货
1 : ¥62.15000
剪切带（CT）
2,000 : ¥33.02858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
2,000
现货
1 : ¥71.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥38.13159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,971
现货
1 : ¥81.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥43.08149
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,998
现货
1 : ¥92.11000
剪切带（CT）
2,000 : ¥48.93869
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,934
现货
1 : ¥103.44000
剪切带（CT）
2,000 : ¥60.95062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,931
现货
1 : ¥134.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥79.29030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PG-TO247-4-3
IMZA65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
91
现货
1 : ¥97.45000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
50A（Tc）
18V
50 毫欧 @ 25A，18V
5.7V @ 7.5mA
41 nC @ 18 V
+20V，-2V
1393 pF @ 400 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
0
现货
查看交期
1 : ¥144.33000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
70A（Tc）
15V，18V
40.9 毫欧 @ 25.6A，18V
5.2V @ 11mA
68 nC @ 18 V
+20V，-7V
2160 pF @ 800 V
-
273W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。