单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8,1A(Ta),30A(Tc)25A(Tc)35A(Tc)60A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.34 毫欧 @ 90A, 10V2.7 毫欧 @ 90A,10V3.4 毫欧 @ 90A,10V4.7 毫欧 @ 90A,10V5.9 毫欧 @ 90A, 10V10.6 毫欧 @ 60A, 10V20 毫欧 @ 5A,10V21.8 毫欧 @ 60A, 10V41 毫欧 @ 35A,10V60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 30µA2.5V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V28 nC @ 10 V45 nC @ 10 V46 nC @ 10 V51 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
610 pF @ 40 V1010 pF @ 75 V1470 pF @ 75 V1510 pF @ 20 V1560 pF @ 50 V1950 pF @ 30 V2750 pF @ 75 V2880 pF @ 50 V3520 pF @ 30 V4240 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),59W(Tc)3W(Ta),73W(Tc)3.1W(Ta),42W(Tc)59W(Tc)104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)8-HSOP8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS6H860NLTAG
MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
onsemi
5,677
现货
12,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.28186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
8,1A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 30µA
12 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
2,014
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.81956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 30 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6P100BHTB1
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
3,468
现货
1 : ¥25.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.37548
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 90A, 10V
4V @ 1mA
45 nC @ 10 V
±20V
2880 pF @ 50 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6R060BHTB1
NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
4,870
现货
1 : ¥26.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.18953
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
60A(Tc)
6V,10V
21.8 毫欧 @ 60A, 10V
4V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 75 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,127
现货
1 : ¥28.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.25836
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
3520 pF @ 30 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS6G120BGTB1
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,094
现货
1 : ¥28.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.16602
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
1.34 毫欧 @ 90A, 10V
2.5V @ 1mA
67 nC @ 10 V
±20V
4240 pF @ 20 V
-
104W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6G100BGTB1
NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,423
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 20 V
-
3W(Ta),59W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-HSMT
RH6R025BHTB1
NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,825
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.25975
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Tc)
6V,10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 75 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,230
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.00427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
6V,10V
10.6 毫欧 @ 60A, 10V
4V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 50 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
MFG_RS6P060BHTB1
RS6R035BHTB1
NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,454
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.24031
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
35A(Tc)
6V,10V
41 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 75 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。