单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™ CFD7DUAL COOL®OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V120 V150 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.2A（Ta），122A（Tc）19A（Tc）19.4A（Ta），174A（Tc）21A（Ta），190A（Tc）23A（Ta），165A（Tc）31A（Ta），279A（Tc）32A（Ta），331A（Tc）260A（Tj）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V1.5 毫欧 @ 100A，10V1.7 毫欧 @ 150A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V4.4 毫欧 @ 50A，10V4.45 毫欧 @ 95A，10V6.3 毫欧 @ 50A，10V170 毫欧 @ 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 275µA3.8V @ 210µA3.8V @ 275µA4.5V @ 240µA4.5V @ 521µA4.6V @ 153µA4.6V @ 163µA4.6V @ 235µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V59 nC @ 10 V63 nC @ 10 V79 nC @ 10 V89 nC @ 10 V93 nC @ 10 V141 nC @ 10 V160 nC @ 10 V166 nC @ 10 V216 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1016 pF @ 400 V4550 pF @ 75 V4800 pF @ 75 V6514 pF @ 75 V7000 pF @ 75 V7300 pF @ 75 V11000 pF @ 60 V11830 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V16011 pF @ 50 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），214W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），319W（Tc）3.8W（Ta），395W（Tc）5W（Ta），292W（Tc）137W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）PG-HDSOP-10-1PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-16-U01PG-HSOF-8PG-HSOG-8
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN10-PowerSOP 模块16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,797
现货
1 : ¥55.58000
剪切带（CT）
1,800 : ¥31.53482
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,211
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Infineon Technologies
4,607
现货
1 : ¥50.74000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.23685
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），279A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
160 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
479
现货
1 : ¥53.36000
剪切带（CT）
1,800 : ¥30.26763
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19.4A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8
8-PowerSMD，鸥翼
3,926
现货
1 : ¥39.74000
剪切带（CT）
2,000 : ¥19.35006
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
16.2A（Ta），122A（Tc）
8V，10V
6.3 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 153µA
59 nC @ 10 V
±20V
4550 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
3,722
现货
1 : ¥53.12000
剪切带（CT）
1,800 : ¥30.12054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
260A（Tj）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
1,774
现货
1 : ¥42.28000
剪切带（CT）
1,800 : ¥19.75179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
16.2A（Ta），122A（Tc）
8V，10V
6.3 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 163µA
63 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8
8-PowerSMD，鸥翼
1,800
现货
1 : ¥44.00000
剪切带（CT）
1,800 : ¥22.74253
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
16.2A（Ta），122A（Tc）
8V，10V
6.3 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 163µA
63 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
8-TDFNW
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
2,905
现货
1 : ¥49.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.03943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
23A（Ta），165A（Tc）
10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），292W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
2,845
现货
1 : ¥58.54000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.19042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8
8-PowerSMD，鸥翼
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
1,554
现货
1 : ¥59.77000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.89564
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
32A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R170CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Infineon Technologies
37
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
1,700 : ¥11.56689
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
19A（Tc）
-
170 毫欧 @ 4.9A，10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1016 pF @ 400 V
-
137W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
11
现货
1 : ¥54.43000
剪切带（CT）
1,800 : ¥30.86207
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19.4A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 235µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。