单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Renesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta），3.6A（Tc）30A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 25A，10V8.3 毫欧 @ 15A，10V60 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 10 V27 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 15 V2000 pF @ 10 V14300 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta），1.7W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAKPowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
47,925
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90839
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta），3.6A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 3.2A，10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,702
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4,348
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.52840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta）
10V
8.3 毫欧 @ 15A，10V
-
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。