单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）220mA（Ta）300mA（Ta）5A（Ta）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.5 毫欧 @ 10A，10V44 毫欧 @ 4.3A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 250µA3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V27 pF @ 25 V40 pF @ 10 V1287 pF @ 25 V1680 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）225mW（Ta）350mW（Ta）1.2W（Ta）2.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SSMTSOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-75，SOT-416SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
190,180
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
281,442
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD19537Q3
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
4,850
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
113,484
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
TSOT-26
DMN6040SVT-7
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
6,261
现货
36,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40746
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。