单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-MDmesh™ II Plus
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）68A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 34A，10V43 毫欧 @ 28A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
78.6 nC @ 10 V118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4675 pF @ 400 V5200 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
312W（Tc）450W（Tc）
供应商器件封装
TO-247TO-247 长引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
812
现货
1 : ¥75.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
68A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
STWA60N043DM9
N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
STMicroelectronics
144
现货
1 : ¥95.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
56A（Tc）
10V
43 毫欧 @ 28A， 10V
4.5V @ 250µA
78.6 nC @ 10 V
±30V
4675 pF @ 400 V
-
312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 长引线
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。