单 FET,MOSFET
结果 : 6
制造商
系列
FET 类型
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示 / 6
1 - 6
Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3,828 现货 | 1 : ¥20.20000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 3.1A(Tc) | 10V | 5 欧姆 @ 1.9A,10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 980 pF @ 25 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
464 现货 | 1 : ¥166.41000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 10A(Tc) | 10V | 1.5 欧姆 @ 5A,10V | - | 200 nC @ 5 V | ±20V | 5320 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 695W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247(IXTH) | TO-247-3 | |||
8,577 现货 | 1 : ¥9.28000 管件 | - | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 1.8A(Tc) | 10V | 3 欧姆 @ 900mA,10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 20W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
1,400 现货 | 1 : ¥14.45000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 1.4A(Tc) | 10V | 11 欧姆 @ 840mA,10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 500 pF @ 25 V | - | 54W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
238 现货 | 1 : ¥23.15000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 1.85A(Tc) | 10V | 8.5 欧姆 @ 900mA,10V | 4.5V @ 50µA | 16 nC @ 10 V | ±30V | 499 pF @ 25 V | - | 70W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220 | TO-220-3 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥22.99000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1000 V | 1A(Tc) | 10V | 15 欧姆 @ 500mA,10V | 4.5V @ 50µA | 15.5 nC @ 10 V | ±20V | 331 pF @ 25 V | - | 50W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 |
显示 / 6
1 - 6