单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22，1A（Ta），35A（Tc）30.6A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 毫欧 @ 30A，10V4.4 毫欧 @ 20A，10V8.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.5 nC @ 10 V183 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 15 V5590 pF @ 10 V13258 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）14.7W（Tc）500W
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SO-8TOLL-8L
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,752
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13744
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30.6A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
1000 pF @ 15 V
-
14.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8SH
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Vishay Siliconix
71,509
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.53934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
22，1A（Ta），35A（Tc）
2.5V，10V
4.4 毫欧 @ 20A，10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
MCTL300N10YHE3-TP
MCTL300N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 300A TOLL-8L
Micro Commercial Co
43,167
现货
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥24.96643
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
-
1.45 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13258 pF @ 50 V
-
500W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TOLL-8L
8-PowerSFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。