单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-PowerTrench®STripFET™ H6SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V150 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）2A（Ta）2.4A（Tc）3.6A（Ta）7.5A（Ta）9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.8 毫欧 @ 7.5A，10V24 毫欧 @ 5A，4.5V56 毫欧 @ 1A，10V900 毫欧 @ 4.5A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 100µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V6 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V17.8 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V311 pF @ 25 V639 pF @ 25 V1540 pF @ 16 V2180 pF @ 25 V2570 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Tc）470mW（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）45W（Tc）160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICDPAKSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-247-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
90,950
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR3C21NZT1G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
10,482
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TS432AILT
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STMicroelectronics
14,274
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40530
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
350mW（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
STMicroelectronics
6,594
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.29084
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.4A（Tc）
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
FDS86240
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
onsemi
16,653
现货
1 : ¥22.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.07092
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
7.5A（Ta）
6V，10V
19.8 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2570 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-3 HiP
STW10NK80Z
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
STMicroelectronics
608
现货
1 : ¥41.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
9A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 100µA
72 nC @ 10 V
±30V
2180 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。