单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）500mA（Ta）700mA（Ta）5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，10V2.5V，4V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 5.6A，10V700 毫欧 @ 1.5A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V4.6 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V25 pF @ 10 V50 pF @ 25 V235 pF @ 50 V343 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）400mW（Ta）500mW（Ta）690mW（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SST3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
62,063
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
-
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN10H700S-7
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Diodes Incorporated
14,695
现货
333,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61180
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
700mA（Ta）
6V，10V
700 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 50 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
26,492
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
19,994
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36442
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
48,621
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.55368
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 5.6A，10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。