单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInternational RectifierRohm Semiconductor
系列
-StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Ta）240mA（Ta）5A（Ta）26A（Ta），80A（Tc）114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1mOhm @ 26A，10V3.6 毫欧 @ 70A，10V27 毫欧 @ 5A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V160 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.7V @ 150µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82 nC @ 10 V1.08 nC @ 10 V20.8 nC @ 10 V175 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.8 pF @ 25 V22 pF @ 25 V940 pF @ 15 V6510 pF @ 25 V7850 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）610mW（Ta）1.25W（Ta）3W（Ta）115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPDirectFET™ Isometric MESOT-23-3SOT-323TSMT6（SC-95）
封装/外壳
8-PowerTDFNDirectFET™ Isometric MESC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
320,010
现货
160,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18668
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Diodes Incorporated
183,207
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50mA（Ta）
5V，10V
160 欧姆 @ 16mA，10V
4.5V @ 250µA
1.08 nC @ 10 V
±20V
21.8 pF @ 25 V
-
610mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
13,314
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57773
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 1mA
20.8 nC @ 10 V
±20V
940 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
HSOP8
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
14,713
现货
1 : ¥23.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.37045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
3.1mOhm @ 26A，10V
2.5V @ 1mA
175 nC @ 10 V
±20V
7850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
INFIRFIRF6621TRPBF
IRF7580MTRPBF
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
International Rectifier
7,423
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
114A（Tc）
6V，10V
3.6 毫欧 @ 70A，10V
3.7V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
6510 pF @ 25 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DirectFET™ Isometric ME
DirectFET™ Isometric ME
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。