单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoRohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）1.5A（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 3A，4.5V240 毫欧 @ 500mA，8V2 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V190 pF @ 15 V247 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
3-PICOSTARSOT-23VML0806
封装/外壳
3-SMD，无引线3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VML0806
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Rohm Semiconductor
757,360
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150mA（Ta）
1.2V，4.5V
2 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VML0806
3-SMD，无引线
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
67,951
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83986
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSDxxxxF4T
CSD17483F4
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
100,731
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
240 毫欧 @ 500mA，8V
1.1V @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
12V
190 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。