单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）320mA（Ta）400mA（Ta）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.75V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V4.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V40 pF @ 10 V50 pF @ 25 V339 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）320mW（Ta）350mW（Ta）940mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
241,233
现货
381,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49899
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
114,921
现货
849,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
105,471
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69704
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
272,777
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。