单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
PowerTrench®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）300A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 80A，10V700 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
188 nC @ 10 V266 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 25 V12800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350W（Tc）429W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOFTO-247-3
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerDFN
FDBL0150N80
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
onsemi
3,386
现货
1 : ¥40.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥19.64422
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
10V
1.4 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
188 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
429W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-247-3 HiP
STW13NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
STMicroelectronics
497
现货
1 : ¥67.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
13A（Tc）
10V
700 毫欧 @ 6.5A，10V
4.5V @ 150µA
266 nC @ 10 V
±30V
6000 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。