单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）16A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 7A，10V270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53.5 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 25 V2450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
55W（Tc）160W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220F-3TO-252AA
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
onsemi
26,255
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.88902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
16A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 8A，10V
4V @ 250µA
53.5 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220F
FQPF27N25
MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
onsemi
291
现货
1,000
工厂
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
14A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±30V
2450 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。