25A(Ta),42A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS7660
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
onsemi
3,483
现货
3,000
工厂
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.80087
卷带(TR)
3,000 : ¥6.80087
卷带(TR)
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),42A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
5565 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMS7660
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Fairchild Semiconductor
14,242
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),42A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
5565 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
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25A(Ta),42A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。