22A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
漏源电压(Vdss)
60 V75 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 80A,10V3.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
124 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6400 pF @ 25 V8665 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
310W(Tc)450W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247TO-247-3TO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
onsemi
3,385
现货
1 : ¥44.83000
剪切带(CT)
800 : ¥27.07933
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
3.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
6400 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AD EP
FDH038AN08A1
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
onsemi
447
现货
450
工厂
1 : ¥87.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
22A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
3.8 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
8665 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FDH038AN08A1
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
Fairchild Semiconductor
4,441
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
22A(Ta),80A(Tc)
6V,10V
3.8 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
8665 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
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22A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。