22A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 24
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V34 V40 V60 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 30A,10V2.8 毫欧 @ 25A,10V3.1 毫欧 @ 25A,10V3.2 毫欧 @ 20A,10V3.2 毫欧 @ 25A,10V3.3 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 25A,10V3.4 毫欧 @ 30A,10V3.7 毫欧 @ 50A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.8V @ 72µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 10 V38.5 nC @ 10 V44 nC @ 10 V49 nC @ 10 V50 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V58 nC @ 10 V64 nC @ 10 V65 nC @ 10 V78.3 nC @ 10 V96.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2200 pF @ 25 V2200 pF @ 50 V2370 pF @ 15 V2460 pF @ 25 V2693 pF @ 30 V3367 pF @ 20 V3840 pF @ 20 V4200 pF @ 40 V4300 pF @ 15 V4515 pF @ 30 V5340 pF @ 30 V5399 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),62W(Tc)2.5W(Ta),57W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)2.6W(Ta),138W(Tc)2.7W(Ta)2.7W(Ta),83.3W(Tc)2.7W(Ta),83W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.1W(Ta),150W(Tc)3.2W(Ta)3.6W(Ta),105W(Tc)3.7W(Ta),79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-VSON-CLIP(5x6)8-VSONP(5x6)LFPAK4(5x6)PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8POWERDI3333-8PowerDI5060-8PowerDI5060-8(UX 类)PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-VQFN 裸露焊盘SOT-1023,4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
24结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 24
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C645NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
1,364
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.22257
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-Power TDFN
CSD18501Q5A
MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Texas Instruments
13,698
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.00340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMTH43M8LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Diodes Incorporated
11,530
现货
3,815,000
工厂
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.82780
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3367 pF @ 20 V
-
2.7W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
CSD18532NQ5B
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
Texas Instruments
4,345
现货
1 : ¥20.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.03752
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
3.4 毫欧 @ 25A,10V
3.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5340 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C645NLT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
2,440
现货
1 : ¥22.66000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.74729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-Power TDFN
BSC034N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Infineon Technologies
5,000
现货
5,000 : ¥3.11562
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,494
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.88751
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
96.3 nC @ 10 V
±20V
4515 pF @ 30 V
-
2.6W(Ta),138W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMT3003LFG-7
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Diodes Incorporated
5,388
现货
2,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.40765
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2370 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
SOT 1023
NVMYS4D1N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
onsemi
2,428
现货
15,000
工厂
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.99824
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 80µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
SOT 1023
NTMYS4D1N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
onsemi
2,980
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.35058
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 80µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
TEXTISCSD86336Q3DT
BSC882N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
23,996
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
34 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C645NLT3G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥9.02159
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PG-TDSON-8-1
BSC882N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
35,000
市场
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
34 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC037N08NS5TATMA1
MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Infineon Technologies
4,990
现货
1 : ¥22.58000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.47408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
22A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
3.7 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 72µA
58 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 40 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMT3003LFG-13
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
9,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥2.40766
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2370 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT3003LFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
225,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥2.87075
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2370 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT3003LFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
398,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥2.87077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2370 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMTH43M8LPS-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Diodes Incorporated
0
现货
95,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥3.11897
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
38.5 nC @ 10 V
±20V
2693 pF @ 30 V
-
2.7W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMTH43M8LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
2,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥3.24694
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
5V,10V
3.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
3367 pF @ 20 V
-
2.7W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C645NLAFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥6.83094
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C645NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥7.53356
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerDI5060 UX
DMTH6004LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥9.44220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
78.3 nC @ 10 V
±20V
5399 pF @ 30 V
-
2.6W(Ta),138W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
8-PowerPQFN
IRFH5204TRPBF
MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),100A(Tc)
10V
4.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 100µA
65 nC @ 10 V
±20V
2460 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),105W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-VQFN 裸露焊盘
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C645NLT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
onsemi
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
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22A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。