20A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Fairchild SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™SRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 20A,10V3.5 毫欧 @ 20A,10V4.3 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5.7 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 20A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.35V @ 50µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V27 nC @ 10 V29 nC @ 10 V33 nC @ 10 V34 nC @ 10 V41 nC @ 10 V43 nC @ 10 V50 nC @ 10 V56 nC @ 10 V66 nC @ 10 V86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 15 V1780 pF @ 13 V1797 pF @ 25 V2200 pF @ 15 V2315 pF @ 13 V2940 pF @ 15 V4100 pF @ 15 V4325 pF @ 15 V4400 pF @ 15 V4630 pF @ 10 V4830 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),36W(Tc)2.1W(Ta),69W(Tc)2.3W(Ta),41W(Tc)2.8W(Ta),37W(Tc)3.1W(Ta),36W(Tc)3.1W(Ta),40W(Tc)3.7W(Ta),42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLPower33PQFN(3x3)TO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VQFN 裸露焊盘TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC7660
MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
onsemi
3,212
现货
6,000
工厂
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.97178
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
4830 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
8-DFN
AON7404
MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,315
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.55225
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
20A(Ta),40A(Tc)
2.5V,4.5V
6 毫欧 @ 20A,4.5V
1.6V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±12V
4630 pF @ 10 V
-
3.1W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
8-PowerTDFN, Power56
FDMC7660S
MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
onsemi
2,925
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.79335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 1mA
66 nC @ 10 V
±20V
4325 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ035N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
4,352
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.19462
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Infineon Technologies
4,536
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.05359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
MJD32CTF-ON
FDD6796A
MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
Fairchild Semiconductor
749,737
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
20A(Ta),40A(Tc)
-
5.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1780 pF @ 13 V
-
3.7W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MJD32CTF-ON
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
Fairchild Semiconductor
15,248
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2315 pF @ 13 V
-
3.7W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Fairchild Semiconductor
9,685
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 1mA
66 nC @ 10 V
±20V
4325 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6796A
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
onsemi
0
现货
2,500 : ¥3.66039
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1780 pF @ 13 V
-
3.7W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-DFN
AON7788
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.33956
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±12V
4100 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
-
4.3 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
27 nC @ 10 V
-
1797 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
TO-252AA
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2315 pF @ 13 V
-
3.7W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 50µA
27 nC @ 10 V
±20V
1797 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(3x3)
8-VQFN 裸露焊盘
8-DFN
AON7202
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7422E
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2940 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7202L
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
显示
/ 16

20A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。