202A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BSC023N08NS5SCATMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	4,769 现货	1 : ¥31.12000 剪切带（CT） 4,000 : ¥15.13348 卷带（TR）	OptiMOS™ 5	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	202A（Tc）	6V，10V	2.3 毫欧 @ 50A，10V	3.8V @ 115µA	98 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 40 V	-	188W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-WSON-8-2	8-PowerWDFN
IRF1404PBF MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Infineon Technologies	2,090 现货	1 : ¥12.40000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	202A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 121A，10V	4V @ 250µA	196 nC @ 10 V	±20V	5669 pF @ 25 V	-	333W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
AIMZH120R010M1TXKSA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	174 现货	1 : ¥415.42000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	202A（Tc）	18V，20V	11.3 毫欧 @ 93A，20V	5.1V @ 30mA	178 nC @ 20 V	+23V，-5V	5703 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	PG-TO247-4-11	TO-247-4
AIMZHN120R010M1TXKSA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	0 现货查看交期	240 : ¥324.40183 管件	-	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	202A（Tc）	18V，20V	11.3 毫欧 @ 93A，20V	5.1V @ 30mA	178 nC @ 20 V	+23V，-5V	5703 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	PG-TO247-4-14	TO-247-4