200A 单 FET,MOSFET
结果 : 4
包装
漏源电压(Vdss)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
显示 / 4
1 - 4
Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2,688 现货 | 1 : ¥15.11000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200A | 10V | 3.2 毫欧 @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4165 pF @ 25 V | - | 260W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB(H) | TO-220-3 | ||
9,833 现货 | 1 : ¥13.55000 剪切带(CT) 5,000 : ¥5.69638 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 200A | 4.5V,10V | 1.35 毫欧 @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 132 nC @ 10 V | ±20V | 7100 pF @ 25 V | - | 120W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | DFN5060 | 8-PowerTDFN | ||
770 现货 | 1 : ¥15.93000 剪切带(CT) 800 : ¥6.68356 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200A | 6V,10V | 3.2 毫欧 @ 20A,10V | 3.8V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4165 pF @ 25 V | - | 260W(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | D2PAK | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | ||
0 现货 | 在售 | - | 卷带(TR) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 200A | 6V,10V | 2.1 毫欧 @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 237 nC @ 10 V | ±20V | 13310 pF @ 50 V | - | 312W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 |
显示 / 4
1 - 4