2.2A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 50
制造商
Diotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorHarris CorporationonsemiSTMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™QFET®STripFET™ IISuperMESH3™SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V60 V80 V150 V200 V250 V450 V500 V600 V620 V800 V900 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 1A,4.5V82 毫欧 @ 500mA,4.5V200 毫欧 @ 1A,4.5V220 毫欧 @ 2.2A,10V270 毫欧 @ 1.2A,10V290 毫欧 @ 1.2A,10V290 毫欧 @ 1A,4.5V310 毫欧 @ 500mA,10V380 毫欧 @ 1.5A,10V1.5 欧姆 @ 1.25A,10V2 欧姆 @ 1.1A,10V2 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.7 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V10.1 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
80 pF @ 75 V135 pF @ 25 V140 pF @ 25 V250 pF @ 25 V270 pF @ 10 V274 pF @ 25 V275 pF @ 25 V315 pF @ 15 V325 pF @ 6 V325 pF @ 25 V340 pF @ 50 V350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
760mW(Ta),2.5W(Tc)1W(Ta)1.5W(Ta)1.6W(Tc)2W(Ta)2.5W(Ta),25W(Tc)2.5W(Tc)3W(Tc)3.1W(Ta),50W(Tc)3.13W(Ta),85W(Tc)3.6W(Tc)15W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DSBGA(1x1)6-DSBGA(1x1.5)6-TSOP8-SOPDPAKIPAKSOT-23-3(TO-236)SOT-23-6TO-205AF(TO-39)TO-220-3TO-220ABTO-220F-3TO-220FPTO-251(IPAK)
封装/外壳
4-UFBGA,DSBGA6-UFBGA,DSBGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-205AF 金属罐TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
50结果
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/ 50
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
295,390
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.78768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
290 毫欧 @ 1.2A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,799
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
290 毫欧 @ 1A,4.5V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 30 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,696
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
270 毫欧 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW(Ta),2.5W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
STMicroelectronics
144
现货
1 : ¥20.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.13469
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
2.2A(Tc)
10V
6.8 欧姆 @ 1.1A,10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3440ADV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Vishay Siliconix
11,102
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99922
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.2A(Tc)
7.5V,10V
380 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 75 V
-
3.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
9,119
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
2.2A(Tc)
6V,10V
270 毫欧 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW(Ta),2.5W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRFBC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Vishay Siliconix
6,599
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.2A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
STMicroelectronics
4,342
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.12272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.2A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
4.5V @ 50µA
15 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRFBC20STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Vishay Siliconix
416
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
800 : ¥9.63626
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.2A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
I-Pak
STU2N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
STMicroelectronics
4,725
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥12.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.2A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
4.5V @ 50µA
15 nC @ 10 V
±30V
340 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK
NDD02N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
onsemi
0
现货
369,185
市场
1,025 : ¥2.11274
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.2A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1A,10V
4.5V @ 50µA
10.1 nC @ 10 V
±30V
274 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF3P20
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
Fairchild Semiconductor
4,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
2.2A(Tc)
10V
2.7 欧姆 @ 1.1A,10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
IRF823
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
2,284
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
2.2A(Tc)
10V
4 欧姆 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
IRF822
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
20,598
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.2A(Tc)
10V
4 欧姆 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRG4RC10UTRPBF
IRFR422
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,139
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.2A(Tc)
10V
4 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
ISL9N302AS3
FQI2N90TU
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
Fairchild Semiconductor
2,930
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
2.2A(Tc)
10V
7.2 欧姆 @ 1.1A,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262(I2PAK)
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NDD02N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
onsemi
0
现货
53,629
市场
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.2A(Tc)
10V
4.8 欧姆 @ 1A,10V
4.5V @ 50µA
16 nC @ 10 V
±30V
325 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
G06N06S
G2K8P15S
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Goford Semiconductor
3,683
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.18594
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.2A(Tc)
10V
310 毫欧 @ 500mA,10V
3.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
966 pF @ 75 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
4-DSBGA-YZB
CSD23201W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
0
现货
455,050
市场
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.2A(Tc)
1.5V,4.5V
82 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2.4 nC @ 4.5 V
-6V
325 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-DSBGA(1x1)
4-UFBGA,DSBGA
TO-220-3
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
onsemi
0
现货
6,144
市场
停产
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
2.2A(Tc)
10V
7.2 欧姆 @ 1.1A,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-251AA
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Vishay Siliconix
3,155
现货
1 : ¥7.72000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.2A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252
IRFR214PBF-BE3
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Vishay Siliconix
1,274
现货
1 : ¥8.05000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.2A(Tc)
-
2 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRFIRFIRFF211
IRFF211
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,043
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.2A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4V @ 250µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
135 pF @ 25 V
-
15W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-205AF(TO-39)
TO-205AF 金属罐
D-PAK (TO-252AA)
IRFR214TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Vishay Siliconix
1,947
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.74244
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.2A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRFBC20PBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Vishay Siliconix
975
现货
1 : ¥6.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.2A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 50

2.2A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。