19A（Ta），42A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 18A，10V4.9 毫欧 @ 18A，10V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS0312S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
onsemi
2,990
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.11937
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2820 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS0310S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
onsemi
0
现货
4,780
市场
606 : ¥3.64155
散装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2820 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
FDMS0312S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
3,234
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2820 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS7672AS
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 18A，10V
3V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2820 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 4

19A（Ta），42A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。