173A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesInternational RectifierMicrochip Technology
系列
-CoolSiC™HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
60 V80 V750 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V15V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 毫欧 @ 30A,10V3.3 毫欧 @ 100A,10V10.6 毫欧 @ 90.3A,18V16 毫欧 @ 80A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 2mA3.7V @ 150µA4V @ 250µA5.6V @ 32.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
124 nC @ 10 V178 nC @ 18 V210 nC @ 10 V464 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±20V+23V,-5V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6040 pF @ 1000 V6135 pF @ 500 V7020 pF @ 25 V8191 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
5.6W(Ta),150W(Tc)230W(Tc)625W(Tc)745W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-HDSOP-22PG-TO263-3POWERDI1012-8SOT-227(ISOTOP®)TO-220ABTO-262
封装/外壳
8-PowerSFN22-PowerBSOP 模块SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
Infineon Technologies
3,811
现货
1 : ¥16.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7537TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Infineon Technologies
881
现货
1 : ¥18.23000
剪切带(CT)
800 : ¥10.18734
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-262-3
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Infineon Technologies
1,000
现货
1 : ¥27.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
717
现货
1 : ¥317.23000
剪切带(CT)
750 : ¥210.40471
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
173A(Tc)
15V,20V
10.6 毫欧 @ 90.3A,18V
5.6V @ 32.4mA
178 nC @ 18 V
+23V,-5V
6135 pF @ 500 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HDSOP-22
22-PowerBSOP 模块
ISL9N302AS3
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
International Rectifier
800
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
APT2X60D60J
MSC130SM120JCU2
SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227
Microchip Technology
4
现货
1 : ¥831.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
173A(Tc)
20V
16 毫欧 @ 80A,20V
2.8V @ 2mA
464 nC @ 20 V
+25V,-10V
6040 pF @ 1000 V
-
745W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
APT2X60D60J
MSC130SM120JCU3
SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227
Microchip Technology
13
现货
1 : ¥831.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
173A(Tc)
20V
16 毫欧 @ 80A,20V
2.8V @ 2mA
464 nC @ 20 V
+25V,-10V
6040 pF @ 1000 V
-
745W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
8-PowerSFN
DMTH8003STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1,500 : ¥10.23057
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
173A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
8191 pF @ 40 V
-
5.6W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
8-PowerSFN
DMTH8003STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
0
现货
4,500
工厂
查看交期
1,500 : ¥11.50987
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
173A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
8191 pF @ 40 V
-
5.6W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7537PBF
MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 10

173A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。