17.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 13.5A,10V7.5 毫欧 @ 15A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 5 V86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3690 pF @ 10 V7300 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)3.5W(Ta)
供应商器件封装
8-SOPOWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMN3008SFG-7
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Diodes Incorporated
4,646
现货
74,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.02245
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.6A(Ta)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 13.5A,10V
2.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3008SFG-13
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.02243
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.6A(Ta)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 13.5A,10V
2.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
IRF7809TR
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥13.90552
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.6A(Ta)
4.5V
7.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
86 nC @ 5 V
±12V
7300 pF @ 16 V
-
3.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
95 : ¥19.40284
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17.6A(Ta)
4.5V
7.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
86 nC @ 5 V
±12V
7300 pF @ 16 V
-
3.5W(Ta)
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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17.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。