16A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 84
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™eGaN®HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVI-HU-MOSVII-Hπ-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V45 V60 V80 V100 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.8V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V4.2 毫欧 @ 10A,10V4.5 毫欧 @ 16A,10V5 毫欧 @ 15A,5V5 毫欧 @ 16A,10V5.4 毫欧 @ 16A,10V5.5 毫欧 @ 16A,10V5.6 毫欧 @ 8A,10V5.7 毫欧 @ 2A,4.5V6 毫欧 @ 16A,10V6 毫欧 @ 16A,4.5V6.2 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 500µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 5 V7.1 nC @ 4.5 V7.6 nC @ 5 V9.5 nC @ 4.5 V11 nC @ 5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V16 nC @ 5 V17 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V+6V,-4V±8V±12V±16V+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
665 pF @ 10 V685 pF @ 50 V805 pF @ 20 V952 pF @ 4 V1040 pF @ 10 V1050 pF @ 25 V1170 pF @ 15 V1190 pF @ 10 V1436 pF @ 12 V1450 pF @ 25 V1570 pF @ 25 V1600 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.4W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta),25W(Tc)2W(Ta)2.1W(Ta)2.5W2.5W(Ta)2.5W(Ta),18W(Tc)2.7W(Ta),33W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN3333(3.3x3.3)8-HSMT(3.2x3)8-HWSON(3.3x3.3)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO8-SO FLMP8-SOIC8-SOP8-SOP Advance(5x5)8-SOP(5.5x6.0)8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
3-SMD,扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘9-SMD,无引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
84结果
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/ 84
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7410TRPBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Infineon Technologies
3,088
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.50419
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
16A(Ta)
1.8V,4.5V
7 毫欧 @ 16A,4.5V
900mV @ 250µA
91 nC @ 4.5 V
±8V
8676 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RS3G160ATTB1
PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
6,716
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.84465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Ta)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±20V
6250 pF @ 20 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,226
现货
1 : ¥30.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.97518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
16A(Ta)
5V
7 毫欧 @ 16A,5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
IRF9317TRPBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Infineon Technologies
15,880
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.90672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 16A,10V
2.4V @ 50µA
92 nC @ 10 V
±20V
2820 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
7,338
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.91334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 15 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
RB098BM-40FNSTL
RD3H160SPTL1
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Rohm Semiconductor
5,447
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.60263
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
16A(Ta)
4V,10V
50 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 1mA
16 nC @ 5 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Rohm Semiconductor
2,634
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
16A(Ta)
4V,10V
50 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 1mA
16 nC @ 5 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-HSMT
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Rohm Semiconductor
17,974
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00114
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
5,000
现货
2,500 : ¥7.26568
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 16A,10V
-
195 nC @ 10 V
±20V
6250 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E160ADTB1
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Rohm Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.16120
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
5,000
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.66934
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 8A,10V
-
12 nC @ 4.5 V
±20V
1740 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8W Single_Top
SQSA84CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
5,337
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88464
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 25 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
8-SOP
DMN3010LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Diodes Incorporated
2,367
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.16690
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 16A,10V
2V @ 250µA
43.7 nC @ 10 V
±20V
2096 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,218
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.98408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 16A,10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5833NT3G
MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
onsemi
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Ta)
10V
7.5 毫欧 @ 40A,10V
3.5V @ 250µA
32.5 nC @ 10 V
±20V
1714 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),112W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-WDFN
NVTFS5811NLWFTAG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
onsemi
0
现货
2,946
市场
2,946 : ¥1.97035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16A(Ta)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),21W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
25,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
-
9.2 毫欧 @ 8A,10V
-
7.1 nC @ 4.5 V
-
1190 pF @ 10 V
-
12.5W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HWSON(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-SOIC
FDS8874
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
2,011
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
3990 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
3,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
-
9.6 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 1mA
11 nC @ 5 V
-
1170 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-DFN3333(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
8-SOIC
FDS6688S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
288,922
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
3290 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRG4RC10UTRPBF
FDB4020P
MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Fairchild Semiconductor
6,321
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta)
2.5V,4.5V
80 毫欧 @ 8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±8V
665 pF @ 10 V
-
37.5W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-SOIC
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
1,941
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
5.4 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
3290 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6688
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
20,527
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 5 V
±20V
3888 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS7064N
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Fairchild Semiconductor
65,979
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta)
4.5V
7.5 毫欧 @ 16A,4.5V
2V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
±12V
3355 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6572A
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
373,117
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta)
2.5V,4.5V
6 毫欧 @ 16A,4.5V
1.5V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±12V
5914 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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16A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。