16A(Ta),77A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)LFPAK4(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线SOT-1023,4-LFPAK
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H836NLT1G
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
onsemi
2,718
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.64577
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 95µA
34 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H836NLT1G
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
onsemi
5,965
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.79365
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 95µA
34 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
SOT 1023
NVMYS006N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
onsemi
2,990
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.43738
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 95µA
34 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
NTMYS003N08LHTWG
NTMYS006N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.60201
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 95µA
34 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H836NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.96803
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 95µA
34 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 40 V
-
3.7W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 5

16A(Ta),77A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。