16A(Ta),55A(Tc) 单 FET,MOSFET

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Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
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制造商零件编号
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价格
系列
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FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF6614TR1PBF
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
8,615
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
4,800 : ¥7.50479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623TR1
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥9.50753
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
4,800 : ¥8.69258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
显示
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16A(Ta),55A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。