16A(Ta),105A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.3 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V5.1 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 192µA3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4100 pF @ 50 V5154 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),250W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)TO-220TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线TO-220-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
onsemi
3,765
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.22009
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
16A(Ta),105A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 34A,10V
3V @ 192µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 50 V
-
3W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-220
AOT284L
MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥10.07630
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),105A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5154 pF @ 40 V
-
2.1W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263 (D2Pak)
AOB284L
MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),105A(Tc)
6V,10V
4.3 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5154 pF @ 40 V
-
2.1W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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16A(Ta),105A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。