168A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
IXYSLittelfuse Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™HiPerFET™, Trench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 24A,10V8.3 毫欧 @ 60A,10V12.9 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
41 nC @ 10 V345 nC @ 10 V378 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2540 pF @ 15 V28000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
125W(Tc)600W(Tc)900W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)24-SMPDSOT-227B
封装/外壳
8-PowerTDFN24-PowerSMD,21 引线SOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXYK1x0xNxxxx
IXFN180N25T
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥243.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
168A(Tc)
10V
12.9 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
345 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
900W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
MOSFET N-CH 200V 168A 24SMPD
MMIX1F230N20T
MOSFET N-CH 200V 168A 24SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
20 : ¥345.19750
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
168A(Tc)
10V
8.3 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
0
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.58310
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
168A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 24A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 15 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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168A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。